Bananowy ekran, a mianowicie sito o równej grubości, kształt i kształt banana jest podobny do nazwy, zasada przesiewania w 1965 r. przez France E. Boerstleina jako pierwsza zaproponowała metodę przesiewania o równej grubości.
1 Zasada działania
Oto jak działa ekran bananowy. Wspornik gniazda sitowego na sprężynie, wykorzystujący kierunkową siłę wzbudzenia generowaną przez wytrząsarkę, tak że skrzynka przesiewająca wytwarza ukośne wibracje posuwisto-zwrotne. Jest to schemat działania wytrząsarki. Dwa zestawy bloków mimośrodowych (M1=M2) w wytrząsarce działają w synchronicznym ruchu wstecznym. W każdym położeniu chwilowym siła odśrodkowa wzdłuż kierunku X-x siły składowej zawsze znosi się wzajemnie, a wzdłuż kierunku Y-Y siły składowej zawsze nakładają się na siebie, w związku z czym tworzy się pojedyncza siła wzdłuż kierunku Y-Y siły wzbudzającej, napędzająca skrzynkę sitową w celu uzyskania ruchu liniowego w ruchu posuwisto-zwrotnym.
2. Wyznaczanie parametrów kinematycznych
(1) amplituda A
Zwykle w przypadku stosowania ekranu bananowego należy stosować małe amplitudy. Liniowa amplituda wibrującego przesiewacza A=4-6mm, tutaj weź A=5mm
Kąt montażu.
(2) Kąt montażu . Mianowicie kąt między powierzchnią ekranu a płaszczyzną poziomą. Otwór ekranu dla nachylenia liniowego ekranu większego niż 50 ml. Kąt 5 stopni ~ 10 stopni. ekran bananowydla pięciu sekcji, zaczynając od końca zasilającego 30 stopni, 22,5 stopnia, 15 stopni, 7,5 stopnia, 0 stopni.
Kąt wyrzutu masy beta.
(3) na ekranie bananowym kąt wyrzutu odnosi się do kąta pomiędzy kierunkiem wibracji a kierunkiem poziomym, a kąt wyrzutu wynosi 45 stopni.
3. Obliczanie parametrów kinetycznych
Część parametrów technicznych przesiewacza bananowego: częstotliwość pracy: F =14parametr HZ masa wibracji: M=15000kg. Powierzchnia ekranu: S=18.6m2
3.1 Sztywność sprężyny wibroizolacyjnej K
K = M x ῳ n2 = M x 2 (ῳ / p)
Typ: ῳ dla częstotliwości kątowej pracy wibrującego przesiewacza, ῳ=840 PI / 30=87.92 rad/s;
P jest stosunkiem częstotliwości drgań, ustaw P =5;
Następnie, zgodnie ze wzorem, K=4637955.84N/m
3.2 Siła drgań wymagana przez przesiewacz wibracyjny P
P.=MA ῳ 2
Gdzie: A to pojedynczy shaker Zhenfu, A=5mm.
Podstaw do wzoru P= 579744.48n
3.3 Moc silnika wymagana dla wytrząsarki N
N = 1 ŋ / (N1 + N2)
Gdzie: N1 to moc wibracji, kW; N2 to moc tarcia, kW; ŋ to moc transmisji, ŋ=0.9~0,95.
Moc wibracji: N1=MA2n3c/1740 gdzie: C to współczynnik tłumienia, C =0.2; N to częstotliwość drgań (prędkość obrotowa), n= 900R/min. We wzorze N1=31.4kW
Siła tarcia N2= MAN3FD2/1740
Gdzie: F jest współczynnikiem tarcia łożyska tocznego, f=0.003; D2 to średnica czopa, D2 =0.080m; Jeśli N2=7.5kW, N=1/0,95× (31.4+7.5)=41kW
4. Analiza elementów skończonych na ekranie bananowym
Do obliczeń wytrzymałościowych można wykorzystać oprogramowanie do analizy elementów skończonych, a jakość projektu można znacznie poprawić poprzez ciągłą modyfikację wykresu i wielokrotne obliczenia.
4.1 Utworzenie modelu elementów skończonych przesiewacza bananowego
Model wytrząsarki został uproszczony, a w programie ANSYS wybrano odpowiednie typy elementów, takie jak SHE1163 i Combine14 w celu ustaleniaekran bananowymodel analizy elementów skończonych, jak pokazano na rysunku 2.
2 Model analizy elementów skończonych ekranu bananowego
4.2 Analiza statyczna ekranu bananowego firmy ANSYS
Poprzez analizę statyczną można określić koncentrację naprężeń, poprzez wielokrotne modyfikacje projektu i analizę oprogramowania, aż konstrukcja skrzynki sitowej będzie optymalna. [RYS.. 3 to diagram rozkładu naprężeń w skrzyni sitowej ekranu bananowego. Koncentracja naprężeń jest stosunkowo skoncentrowana w miejscu sąsiadującym z gniazdem sprężyny i płytą boczną. Ponieważ podczas upraszczania modelu usunięto płytkę pionową połączoną z gniazdem sprężyny oraz płytkę boczną i płytkę przeładunkową na wewnętrznej ściance płyty bocznej, koncentrację naprężeń można tutaj pominąć.
RYS. 3 Wykres rozkładu naprężeń w skrzyni sitowej
5 wniosek
Analizę statyczną przeprowadza się za pomocą oprogramowania ANSYS, które zapewnia teoretyczne podstawy optymalizacji strukturalnej sita bananowego.
